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    Titel:

    Distribution of Forward Voltage of SiC Schottky Barrier Diode Using Ti Sintering Process

    Beteiligte:

    Kuroda, K. (Autor:in) / Matsuno, Y. (Autor:in) / Ohtsuka, K.I. (Autor:in) / Yutani, N. (Autor:in) / Shikama, S. (Autor:in) / Sumitani, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 979-982

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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