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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Normally-Off 4H-SiC Power MOSFET with Submicron Gate

    Beteiligte:

    Yamashita, K. (Autor:in) / Egashira, K. (Autor:in) / Hashimoto, K. (Autor:in) / Takahashi, K. (Autor:in) / Kusumoto, O. (Autor:in) / Utsunomiya, K. (Autor:in) / Hayashi, M. (Autor:in) / Uchida, M. (Autor:in) / Kudo, C. (Autor:in) / Kitabatake, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1115-1118

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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