950 Volt 4H-SiC MOSFETs: DC and Transient Performance and Gate Oxide Reliability: Fid-Bau Portal

950 Volt 4H-SiC MOSFETs: DC and Transient Performance and Gate Oxide Reliability

Matocha, K. / Stum, Z. / Arthur, S. / Dunne, G. / Stevanovic, L.

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Titel:

950 Volt 4H-SiC MOSFETs: DC and Transient Performance and Gate Oxide Reliability

Beteiligte:

Matocha, K. (Autor:in) / Stum, Z. (Autor:in) / Arthur, S. (Autor:in) / Dunne, G. (Autor:in) / Stevanovic, L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1131-1134

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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