In Situ Nitrogen and Aluminum Doping in Migration Enhanced Embedded Epitaxial Growth of 4H-SiC: Fid-Bau Portal

In Situ Nitrogen and Aluminum Doping in Migration Enhanced Embedded Epitaxial Growth of 4H-SiC

Schoner, A. / Sugiyama, N. / Takeuchi, Y. / Malhan, R.K.

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Titel:

In Situ Nitrogen and Aluminum Doping in Migration Enhanced Embedded Epitaxial Growth of 4H-SiC

Beteiligte:

Schoner, A. (Autor:in) / Sugiyama, N. (Autor:in) / Takeuchi, Y. (Autor:in) / Malhan, R.K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 175-178

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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