Nitrogen Doping of Epitaxial SiC: Experimental Evidence of the Re-Incorporation of Etched Nitrogen during Growth: Fid-Bau Portal

Nitrogen Doping of Epitaxial SiC: Experimental Evidence of the Re-Incorporation of Etched Nitrogen during Growth

Meziere, J. / Ferret, P. / Blanquet, E. / Pons, M. / Di Cioccio, L. / Billon, T.

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Titel:

Nitrogen Doping of Epitaxial SiC: Experimental Evidence of the Re-Incorporation of Etched Nitrogen during Growth

Beteiligte:

Meziere, J. (Autor:in) / Ferret, P. (Autor:in) / Blanquet, E. (Autor:in) / Pons, M. (Autor:in) / Di Cioccio, L. (Autor:in) / Billon, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 731-734

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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