Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate Using AlN as a Buffer Layer: Fid-Bau Portal

Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate Using AlN as a Buffer Layer

Zhao, Y.M. / Sun, G.S. / Liu, X.F. / Li, J.Y. / Zhao, W.S. / Wang, L. / Li, J.M. / Zeng, Y.P.

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Titel:

Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate Using AlN as a Buffer Layer

Beteiligte:

Zhao, Y.M. (Autor:in) / Sun, G.S. (Autor:in) / Liu, X.F. (Autor:in) / Li, J.Y. (Autor:in) / Zhao, W.S. (Autor:in) / Wang, L. (Autor:in) / Li, J.M. (Autor:in) / Zeng, Y.P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 251-254

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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