Expansion of Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layer under Laser Light Excitation during Room Temperature Photoluminescence Mapping: Fid-Bau Portal

Expansion of Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layer under Laser Light Excitation during Room Temperature Photoluminescence Mapping

Hoshino, N. / Tajima, M. / Naitoh, M. / Okuno, E. / Onda, S.

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Titel:

Expansion of Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layer under Laser Light Excitation during Room Temperature Photoluminescence Mapping

Beteiligte:

Hoshino, N. (Autor:in) / Tajima, M. (Autor:in) / Naitoh, M. (Autor:in) / Okuno, E. (Autor:in) / Onda, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 349-352

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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