Behavior of Native Defects in Semi-Insulating 4H-SiC after High Temperature Anneals and Different Cool-Down Rates: Fid-Bau Portal

Behavior of Native Defects in Semi-Insulating 4H-SiC after High Temperature Anneals and Different Cool-Down Rates

Garces, N.Y. / Glaser, E.R. / Carlos, W.E. / Fanton, M.A.

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Titel:

Behavior of Native Defects in Semi-Insulating 4H-SiC after High Temperature Anneals and Different Cool-Down Rates

Beteiligte:

Garces, N.Y. (Autor:in) / Glaser, E.R. (Autor:in) / Carlos, W.E. (Autor:in) / Fanton, M.A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 389-392

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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