Correlation between Physicochemical and Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Doped with Boron: Effect of Thermal Annealing: Fid-Bau Portal

Correlation between Physicochemical and Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Doped with Boron: Effect of Thermal Annealing

Seba, H.Y. / Cherfi, R. / Hamadache, F. / Aoucher, M.

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Titel:

Correlation between Physicochemical and Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Doped with Boron: Effect of Thermal Annealing

Beteiligte:

Seba, H.Y. (Autor:in) / Cherfi, R. (Autor:in) / Hamadache, F. (Autor:in) / Aoucher, M. (Autor:in) / Gabouze, N.

Erschienen in:

Thin Films and Porous Materials ; 129-132

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 609

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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