Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750degreeC and interaction with dislocations: Fid-Bau Portal

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750degreeC and interaction with dislocations

Alpass, C. R. / Murphy, J. D. / Falster, R. J. / Wilshaw, P. R.

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Titel:

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750degreeC and interaction with dislocations

Beteiligte:

Alpass, C. R. (Autor:in) / Murphy, J. D. (Autor:in) / Falster, R. J. (Autor:in) / Wilshaw, P. R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 159-160 ; 95-98

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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