Formation and annealing behavior of prominent point defects in MeV ion implanted n-type epitaxial Si: Fid-Bau Portal

Formation and annealing behavior of prominent point defects in MeV ion implanted n-type epitaxial Si

Vines, L. / Monakhov, E. V. / Jensen, J. / Kuznetsov, A. Y. / Svensson, B. G.

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Titel:

Formation and annealing behavior of prominent point defects in MeV ion implanted n-type epitaxial Si

Beteiligte:

Vines, L. (Autor:in) / Monakhov, E. V. (Autor:in) / Jensen, J. (Autor:in) / Kuznetsov, A. Y. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 159-160 ; 177-181

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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