Defects Introduced by Electron-Irradiation at Low Temperatures in SiC: Fid-Bau Portal

Defects Introduced by Electron-Irradiation at Low Temperatures in SiC

Son, N.T. / Isoya, J. / Morishita, N. / Ohshima, T. / Itoh, H. / Gali, A. / Janzen, E.

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Titel:

Defects Introduced by Electron-Irradiation at Low Temperatures in SiC

Beteiligte:

Son, N.T. (Autor:in) / Isoya, J. (Autor:in) / Morishita, N. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in) / Gali, A. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 377-380

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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