Comparison between Polishing Etching of On and Off-Axis C and Si-Faces of 4H-SiC Wafers: Fid-Bau Portal

Comparison between Polishing Etching of On and Off-Axis C and Si-Faces of 4H-SiC Wafers

Kosciewicz, K. / Strupinski, W. / Olszyna, A.

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Titel:

Comparison between Polishing Etching of On and Off-Axis C and Si-Faces of 4H-SiC Wafers

Beteiligte:

Kosciewicz, K. (Autor:in) / Strupinski, W. (Autor:in) / Olszyna, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 597-600

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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