High Temperature Characteristics of 4H-SiC RESURF-Type JFET: Fid-Bau Portal

High Temperature Characteristics of 4H-SiC RESURF-Type JFET

Fujikawa, K. / Sawada, K. / Tokuda, H. / Tamaso, H. / Harada, S. / Shinkai, J. / Tsuno, T. / Namikawa, Y.

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Titel:

High Temperature Characteristics of 4H-SiC RESURF-Type JFET

Beteiligte:

Fujikawa, K. (Autor:in) / Sawada, K. (Autor:in) / Tokuda, H. (Autor:in) / Tamaso, H. (Autor:in) / Harada, S. (Autor:in) / Shinkai, J. (Autor:in) / Tsuno, T. (Autor:in) / Namikawa, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 727-730

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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