Silicon Carbide Vertical JFET Operating at High Temperature: Fid-Bau Portal

Silicon Carbide Vertical JFET Operating at High Temperature

Vassilevski, K.V. / Hilton, K.P. / Wright, N.G. / Uren, M.J. / Munday, A.G. / Nikitina, I. / Hydes, A.J. / Horsfall, A.B. / Johnson, C.M.

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Titel:

Silicon Carbide Vertical JFET Operating at High Temperature

Beteiligte:

Vassilevski, K.V. (Autor:in) / Hilton, K.P. (Autor:in) / Wright, N.G. (Autor:in) / Uren, M.J. (Autor:in) / Munday, A.G. (Autor:in) / Nikitina, I. (Autor:in) / Hydes, A.J. (Autor:in) / Horsfall, A.B. (Autor:in) / Johnson, C.M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1063-1066

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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