Silicon Carbide Static Induction Transistor with Implanted Buried Gate: Fid-Bau Portal

Silicon Carbide Static Induction Transistor with Implanted Buried Gate

Vassilevski, K.V. / Nikitina, I.P. / Horsfall, A.B. / Wright, N.G. / O Neill, A.G. / Gwilliam, R. / Johnson, C.M.

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Titel:

Silicon Carbide Static Induction Transistor with Implanted Buried Gate

Beteiligte:

Vassilevski, K.V. (Autor:in) / Nikitina, I.P. (Autor:in) / Horsfall, A.B. (Autor:in) / Wright, N.G. (Autor:in) / O Neill, A.G. (Autor:in) / Gwilliam, R. (Autor:in) / Johnson, C.M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 735-738

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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