Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation: Fid-Bau Portal

Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation

Ma, X. / Liu, W. / Chen, C. / Du, X. / Liu, X. / Song, Z. / Lin, C.

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Titel:

Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation

Beteiligte:

Ma, X. (Autor:in) / Liu, W. (Autor:in) / Chen, C. (Autor:in) / Du, X. (Autor:in) / Liu, X. (Autor:in) / Song, Z. (Autor:in) / Lin, C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 7743-7748

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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