Atomic arrangement variations of 30^o in-plane rotation domain boundaries in ZnO thin films grown on Si substrates due to thermal annealing: Fid-Bau Portal

Atomic arrangement variations of 30^o in-plane rotation domain boundaries in ZnO thin films grown on Si substrates due to thermal annealing

Shin, J.W. / Lee, J.Y. / No, Y.S. / Kim, T.W. / Choi, W.K.

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Titel:

Atomic arrangement variations of 30^o in-plane rotation domain boundaries in ZnO thin films grown on Si substrates due to thermal annealing

Beteiligte:

Shin, J.W. (Autor:in) / Lee, J.Y. (Autor:in) / No, Y.S. (Autor:in) / Kim, T.W. (Autor:in) / Choi, W.K. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 24 ; 2006-2010

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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