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    Titel:

    Very low leakage InGaAs/InAlAs pHEMTs for broadband (300 MHz to 2 GHz) low-noise applications

    Beteiligte:

    Bouloukou, A. ( Autor:in ) / Boudjelida, B. ( Autor:in ) / Sobih, A. ( Autor:in ) / Boulay, S. ( Autor:in ) / Sly, J. ( Autor:in ) / Missous, M. ( Autor:in )

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 11 ; 390-393

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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