InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance: Fid-Bau Portal

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

Hazdra, P. / Oswald, J. / Atef, M. / Kuldova, K. / Hospodkova, A. / Hulicius, E. / Pangrac, J.

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Titel:

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

Beteiligte:

Hazdra, P. (Autor:in) / Oswald, J. (Autor:in) / Atef, M. (Autor:in) / Kuldova, K. (Autor:in) / Hospodkova, A. (Autor:in) / Hulicius, E. (Autor:in) / Pangrac, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 147 ; 175-178

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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