Ge2Sb2Te5 and PbZr0.30Ti0.70O3 composite films for application in phase change random access memory: Fid-Bau Portal

Ge2Sb2Te5 and PbZr0.30Ti0.70O3 composite films for application in phase change random access memory

Song, S. / Song, Z. / Liu, B. / Wu, L. / Feng, S.

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Titel:

Ge2Sb2Te5 and PbZr0.30Ti0.70O3 composite films for application in phase change random access memory

Beteiligte:

Song, S. (Autor:in) / Song, Z. (Autor:in) / Liu, B. (Autor:in) / Wu, L. (Autor:in) / Feng, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 64 ; 317-319

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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