Crystallization characteristics of Mg-doped Ge2Sb2Te5 films for phase change memory applications: Fid-Bau Portal

Crystallization characteristics of Mg-doped Ge2Sb2Te5 films for phase change memory applications

Fu, J. / Shen, X. / Nie, Q. / Wang, G. / Wu, L. / Dai, S. / Xu, T. / Wang, R. P.

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Titel:

Crystallization characteristics of Mg-doped Ge2Sb2Te5 films for phase change memory applications

Beteiligte:

Fu, J. (Autor:in) / Shen, X. (Autor:in) / Nie, Q. (Autor:in) / Wang, G. (Autor:in) / Wu, L. (Autor:in) / Dai, S. (Autor:in) / Xu, T. (Autor:in) / Wang, R. P. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 264 ; 269-272

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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