Nanoscale ITO/ZnO layer-texturing for high-efficiency InGaN/GaN light emitting diodes: Fid-Bau Portal

Nanoscale ITO/ZnO layer-texturing for high-efficiency InGaN/GaN light emitting diodes

Uthirakumar, P. / Kang, J. H. / Ryu, B. D. / Kim, H. G. / Kim, H. K. / Hong, C. H.

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Titel:

Nanoscale ITO/ZnO layer-texturing for high-efficiency InGaN/GaN light emitting diodes

Beteiligte:

Uthirakumar, P. (Autor:in) / Kang, J. H. (Autor:in) / Ryu, B. D. (Autor:in) / Kim, H. G. (Autor:in) / Kim, H. K. (Autor:in) / Hong, C. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 166 ; 230-234

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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