Nitridation of the SiO~2/SiC Interface by N^+ Implantation: Hall versus Field Effect Mobility in n-Channel Planar 4H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Nitridation of the SiO~2/SiC Interface by N^+ Implantation: Hall versus Field Effect Mobility in n-Channel Planar 4H-SiC MOSFETs

Moscatelli, F. / Poggi, A. / Solmi, S. / Nipoti, R. / Armigliato, A. / Belsito, L.

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Moscatelli, F. / Poggi, A. / Solmi, S. / Nipoti, R. / Armigliato, A. / Belsito, L.

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Titel:

Nitridation of the SiO~2/SiC Interface by N^+ Implantation: Hall versus Field Effect Mobility in n-Channel Planar 4H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Moscatelli, F. (Autor:in) / Poggi, A. (Autor:in) / Solmi, S. (Autor:in) / Nipoti, R. (Autor:in) / Armigliato, A. (Autor:in) / Belsito, L. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 491-494

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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