Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation: Fid-Bau Portal

Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation

Mortet, V. / Bedel-Pereira, E. / Bobo, J.F. / Cristiano, F. / Strenger, C. / Uhnevionak, V. / Burenkov, A. / Bauer, A.J.

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Titel:

Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation

Beteiligte:

Mortet, V. (Autor:in) / Bedel-Pereira, E. (Autor:in) / Bobo, J.F. (Autor:in) / Cristiano, F. (Autor:in) / Strenger, C. (Autor:in) / Uhnevionak, V. (Autor:in) / Burenkov, A. (Autor:in) / Bauer, A.J. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 525-528

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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