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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Improved Electrical Properties of SiC-MOS Interfaces by Thermal Oxidation of Plasma Nitrided 4H-SiC(0001) Surfaces

    Beteiligte:

    Kagei, Y. (Autor:in) / Kirino, T. (Autor:in) / Watanabe, Y. (Autor:in) / Mitani, S. (Autor:in) / Nakano, Y. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in) / Hosoi, T. (Autor:in) / Shimura, T. (Autor:in) / Watanabe, H. (Autor:in) / Bauer, A.J.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 507-510

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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