Electrical Properties of Atomic-Layer-Deposited La~2O~3/Thermal-Nitrided SiO~2 Stacking Dielectric on 4H-SiC(0001): Fid-Bau Portal

Electrical Properties of Atomic-Layer-Deposited La~2O~3/Thermal-Nitrided SiO~2 Stacking Dielectric on 4H-SiC(0001)

Moon, J. H. / Cheong, K. Y. / Eom, D. I. / Song, H. K. / Yim, J. H. / Lee, J. H. / Na, H. J. / Bahng, W. / Kim, N. K. / Kim, H. J.

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Titel:

Electrical Properties of Atomic-Layer-Deposited La~2O~3/Thermal-Nitrided SiO~2 Stacking Dielectric on 4H-SiC(0001)

Beteiligte:

Moon, J. H. (Autor:in) / Cheong, K. Y. (Autor:in) / Eom, D. I. (Autor:in) / Song, H. K. (Autor:in) / Yim, J. H. (Autor:in) / Lee, J. H. (Autor:in) / Na, H. J. (Autor:in) / Bahng, W. (Autor:in) / Kim, N. K. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 643-646

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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