Room-Temperature Fabrication of Ultrathin Oxide Gate Dielectrics for Low-Voltage Operation of Organic Field-Effect Transistors: Fid-Bau Portal

Room-Temperature Fabrication of Ultrathin Oxide Gate Dielectrics for Low-Voltage Operation of Organic Field-Effect Transistors

Park, Y. M. / Daniel, J. / Heeney, M. / Salleo, A.

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Titel:

Room-Temperature Fabrication of Ultrathin Oxide Gate Dielectrics for Low-Voltage Operation of Organic Field-Effect Transistors

Beteiligte:

Park, Y. M. (Autor:in) / Daniel, J. (Autor:in) / Heeney, M. (Autor:in) / Salleo, A. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 23 ; 971-974

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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