Organic Field-Effect Transistors: The Origin of Excellent Gate-Bias Stress Stability in Organic Field-Effect Transistors Employing Fluorinated-Polymer Gate Dielectrics (Adv. Mater. 42/2014): Fid-Bau Portal

Organic Field-Effect Transistors: The Origin of Excellent Gate-Bias Stress Stability in Organic Field-Effect Transistors Employing Fluorinated-Polymer Gate Dielectrics (Adv. Mater. 42/2014)

Kim, J. / Jang, J. / Kim, K. / Kim, H. / Kim, S. H. / Park, C. E.

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Titel:

Organic Field-Effect Transistors: The Origin of Excellent Gate-Bias Stress Stability in Organic Field-Effect Transistors Employing Fluorinated-Polymer Gate Dielectrics (Adv. Mater. 42/2014)

Beteiligte:

Kim, J. (Autor:in) / Jang, J. (Autor:in) / Kim, K. (Autor:in) / Kim, H. (Autor:in) / Kim, S. H. (Autor:in) / Park, C. E. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 26 ; 7280-7280

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

1 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)