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    Titel:

    Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-Rays

    Beteiligte:

    Ohshima, T. (Autor:in) / Iwamoto, N. (Autor:in) / Onoda, S. (Autor:in) / Makino, T. (Autor:in) / Nozaki, S. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 362-365

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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