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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Generation Mechanisms of Trapped Charges in Oxide Layers of 6H-SiC MOS Structures Irradiated with Gamma-Rays

    Beteiligte:

    Yoshikawa, M. (Autor:in) / Saitoh, K. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in) / Nashiyama, I. (Autor:in) / Takahashi, Y. (Autor:in) / Ohnishi, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Yoshida, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1017-1020

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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