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    Titel:

    Graded Etched Junction Termination for SiC Thyristors

    Beteiligte:

    Paques, G. (Autor:in) / Dheilly, N. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / De Doncker, R.W. (Autor:in) / Scharnholz, S. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 457-460

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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