Effect of Proton Irradiation Induced Defects on 4H-SiC Schottky Diode X-Ray Detectors: Fid-Bau Portal

Effect of Proton Irradiation Induced Defects on 4H-SiC Schottky Diode X-Ray Detectors

Stevens, R.C. / Vasilevskiy, K. / Lees, J.E. / Wright, N.G. / Horsfall, A.B.

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Titel:

Effect of Proton Irradiation Induced Defects on 4H-SiC Schottky Diode X-Ray Detectors

Beteiligte:

Stevens, R.C. (Autor:in) / Vasilevskiy, K. (Autor:in) / Lees, J.E. (Autor:in) / Wright, N.G. (Autor:in) / Horsfall, A.B. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 547-550

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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