Study of Mobility Limiting Mechanisms in (0001) 4H and 6H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Study of Mobility Limiting Mechanisms in (0001) 4H and 6H-SiC MOSFETs

Naik, H. / Chow, T.P.

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Titel:

Study of Mobility Limiting Mechanisms in (0001) 4H and 6H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Naik, H. (Autor:in) / Chow, T.P. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 595-598

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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