Mobility-limiting mechanisms in single and dual channel strained Si/SiGe MOSFETs: Fid-Bau Portal

Mobility-limiting mechanisms in single and dual channel strained Si/SiGe MOSFETs

Olsen, S. H. / Dobrosz, P. / Escobedo-Cousin, E. / Bull, S. J. / O'Neill, A. G.

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Titel:

Mobility-limiting mechanisms in single and dual channel strained Si/SiGe MOSFETs

Beteiligte:

Olsen, S. H. (Autor:in) / Dobrosz, P. (Autor:in) / Escobedo-Cousin, E. (Autor:in) / Bull, S. J. (Autor:in) / O'Neill, A. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 107-112

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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