Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Critical Reliability Issues for SiC Power MOSFETs Operated at High Temperature

    Neue Suche nach: Tanimoto, S.
    Neue Suche nach: Suzuki, T.
    Neue Suche nach: Hanamura, A.
    Neue Suche nach: Hoshi, M.
    Neue Suche nach: Shinohara, T.
    Neue Suche nach: Arai, K.
    Neue Suche nach: Wright, N.
    Neue Suche nach: Johnson, C. M.
    Neue Suche nach: Vassilevski, K.
    Neue Suche nach: Nikitina, I.
    Neue Suche nach: Horsfall, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Critical Reliability Issues for SiC Power MOSFETs Operated at High Temperature

    Neue Suche nach: Tanimoto, S.
    Neue Suche nach: Suzuki, T.
    Neue Suche nach: Hanamura, A.
    Neue Suche nach: Hoshi, M.
    Neue Suche nach: Shinohara, T.
    Neue Suche nach: Arai, K.
    Neue Suche nach: Wright, N.
    Neue Suche nach: Johnson, C. M.
    Neue Suche nach: Vassilevski, K.
    Neue Suche nach: Nikitina, I.
    Neue Suche nach: Horsfall, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Critical Reliability Issues for SiC Power MOSFETs Operated at High Temperature

    Neue Suche nach: Tanimoto, S.
    Neue Suche nach: Suzuki, T.
    Neue Suche nach: Hanamura, A.
    Neue Suche nach: Hoshi, M.
    Neue Suche nach: Shinohara, T.
    Neue Suche nach: Arai, K.
    Neue Suche nach: Wright, N.
    Neue Suche nach: Johnson, C. M.
    Neue Suche nach: Vassilevski, K.
    Neue Suche nach: Nikitina, I.
    Neue Suche nach: Horsfall, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Critical Reliability Issues for SiC Power MOSFETs Operated at High Temperature

    Beteiligte:

    Tanimoto, S. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Hanamura, A. (Autor:in) / Hoshi, M. (Autor:in) / Shinohara, T. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 779-782

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    High-Temperature Reliability of SiC Power MOSFETs

    Lelis, A.J. / Green, R. / Habersat, D.B. | British Library Online Contents | 2011

    High-Reliability ONO Gate Dielectric for Power MOSFETs

    Tanimoto, S. / Tanaka, H. / Hayashi, T. et al. | British Library Online Contents | 2005

    Performance and Reliability of SiC MOSFETs for High-Current Power Modules

    Matocha, K. / Losee, P.A. / Gowda, A. et al. | British Library Online Contents | 2010

    A Study of High Temperature DC and AC Gate Stressing on the Performance and Reliability of Power SiC MOSFETs

    Green, R. / Lelis, A.J. / El, M. et al. | British Library Online Contents | 2013

    High Power-Density 4H-SiC RF MOSFETs

    Gudjonsson, G. / Allerstam, F. / Olafsson, H. O. et al. | British Library Online Contents | 2006

    Nach oben