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    Dokumentinformationen
    Titel:

    4kV Silicon Carbide MOSFETs

    Beteiligte:

    Stum, Z. (Autor:in) / Bolotnikov, A.V. (Autor:in) / Losee, P.A. (Autor:in) / Matocha, K. (Autor:in) / Arthur, S. (Autor:in) / Nasadoski, J. (Autor:in) / Rao, R.R. (Autor:in) / Saadeh, O.S. (Autor:in) / Stevanovic, L. (Autor:in) / Myers-Ward, R.L. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 637-640

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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