Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated Using Sodium Enhanced Oxidation Technique: Fid-Bau Portal

Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated Using Sodium Enhanced Oxidation Technique

Tilak, V. / Matocha, K. / Dunne, G. / Allerstam, F. / Sveinbjornsson, E.O.

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Titel:

Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated Using Sodium Enhanced Oxidation Technique

Beteiligte:

Tilak, V. (Autor:in) / Matocha, K. (Autor:in) / Dunne, G. (Autor:in) / Allerstam, F. (Autor:in) / Sveinbjornsson, E.O. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 687-690

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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