Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates: Fid-Bau Portal

Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates

Kato, T. / Ueda, T. / Ohara, Y. / Kikkawa, J. / Nakamura, Y. / Sakai, A. / Nakatsuka, O. / Zaima, S. / Toyoda, E. / Izunome, K.

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Titel:

Structural Change during the Formation of Directly Bonded Silicon Substrates

Beteiligte:

Kato, T. (Autor:in) / Ueda, T. (Autor:in) / Ohara, Y. (Autor:in) / Kikkawa, J. (Autor:in) / Nakamura, Y. (Autor:in) / Sakai, A. (Autor:in) / Nakatsuka, O. (Autor:in) / Zaima, S. (Autor:in) / Toyoda, E. (Autor:in) / Izunome, K. (Autor:in)

Erschienen in:

Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics ; 158-163

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 470

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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