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Analysis of Threshold Voltage Variations in Fin Field Effect Transistors

Tsutsui, K. / Kobayashi, Y. / Kakushima, K. / Ahmet, P. / Rao, V.R. / Iwai, H.

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Titel:

Analysis of Threshold Voltage Variations in Fin Field Effect Transistors

Beteiligte:

Tsutsui, K. (Autor:in) / Kobayashi, Y. (Autor:in) / Kakushima, K. (Autor:in) / Ahmet, P. (Autor:in) / Rao, V.R. (Autor:in) / Iwai, H. (Autor:in) / Miyazaki, S. / Tabata, H.

Erschienen in:

Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics ; 194-200

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 470

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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