Oxide Double-Layer Nanocrossbar for Ultrahigh-Density Bipolar Resistive Memory: Fid-Bau Portal

Oxide Double-Layer Nanocrossbar for Ultrahigh-Density Bipolar Resistive Memory

Chang, S. H. / Lee, S. B. / Jeon, D. Y. / Park, S. J. / Kim, G. T. / Yang, S. M. / Chae, S. C. / Yoo, H. K. / Kang, B. S. / Lee, M. J.

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Chang, S. H. / Lee, S. B. / Jeon, D. Y. / Park, S. J. / Kim, G. T. / Yang, S. M. / Chae, S. C. / Yoo, H. K. / Kang, B. S. / Lee, M. J.

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Chang, S. H. / Lee, S. B. / Jeon, D. Y. / Park, S. J. / Kim, G. T. / Yang, S. M. / Chae, S. C. / Yoo, H. K. / Kang, B. S. / Lee, M. J.

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Titel:

Oxide Double-Layer Nanocrossbar for Ultrahigh-Density Bipolar Resistive Memory

Beteiligte:

Chang, S. H. (Autor:in) / Lee, S. B. (Autor:in) / Jeon, D. Y. (Autor:in) / Park, S. J. (Autor:in) / Kim, G. T. (Autor:in) / Yang, S. M. (Autor:in) / Chae, S. C. (Autor:in) / Yoo, H. K. (Autor:in) / Kang, B. S. (Autor:in) / Lee, M. J. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 23 ; 4063-4067

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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