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    Titel:

    Multilevel characteristics for bipolar resistive random access memory based on hafnium doped SiO2 switching layer

    Beteiligte:

    Wu, JiaJi (Autor:in) / Ye, Cong (Autor:in) / Zhang, Jieqiong (Autor:in) / Deng, Tengfei (Autor:in) / He, Pin (Autor:in) / Wang, Hao (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 43 ; 144-148

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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