Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Tungsten Oxide as a Gate Dielectric for Highly Transparent and Temperature-Stable Zinc-Oxide-Based Thin-Film Transistors

    Neue Suche nach: Lorenz, M.
    Neue Suche nach: von Wenckstern, H.
    Neue Suche nach: Grundmann, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Tungsten Oxide as a Gate Dielectric for Highly Transparent and Temperature-Stable Zinc-Oxide-Based Thin-Film Transistors

    Neue Suche nach: Lorenz, M.
    Neue Suche nach: von Wenckstern, H.
    Neue Suche nach: Grundmann, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Tungsten Oxide as a Gate Dielectric for Highly Transparent and Temperature-Stable Zinc-Oxide-Based Thin-Film Transistors

    Neue Suche nach: Lorenz, M.
    Neue Suche nach: von Wenckstern, H.
    Neue Suche nach: Grundmann, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Tungsten Oxide as a Gate Dielectric for Highly Transparent and Temperature-Stable Zinc-Oxide-Based Thin-Film Transistors

    Beteiligte:

    Lorenz, M. (Autor:in) / von Wenckstern, H. (Autor:in) / Grundmann, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 23 ; 5383-5386

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0935-9648

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Effects of vapor-annealed gate dielectric on the properties of zinc tin oxide transparent thin film transistors

    Choi, M.H. / Ma, T.Y. | British Library Online Contents | 2013

    Highly Stable Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors Having Double Stacked Active Layers

    Park, J. C. / Kim, S. / Kim, C. et al. | British Library Online Contents | 2010

    High-Performance Flexible Transparent Thin-Film Transistors Using a Hybrid Gate Dielectric and an Amorphous Zinc Indium Tin Oxide Channel

    Liu, J. / Buchholz, D. B. / Chang, R. P. et al. | British Library Online Contents | 2010

    Electrical performance and stability of tungsten indium zinc oxide thin-film transistors

    Chauhan, Ram Narayan / Tiwari, Nidhi / Shieh, Han-Ping D. et al. | British Library Online Contents | 2018

    Highly conducting transparent thin films based on zinc oxide

    Wang, R. / King, L. L. H. / Sleight, A. W. | British Library Online Contents | 1996

    Nach oben