Growth characteristics and electrical properties of SiO2 thin films prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition with an aminosilane precursor: Fid-Bau Portal

Growth characteristics and electrical properties of SiO2 thin films prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition with an aminosilane precursor

Jung, H. / Kim, W. H. / Oh, I. K. / Lee, C. W. / Lansalot-Matras, C. / Lee, S. J. / Myoung, J. M. / Lee, H. B. / Kim, H.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Growth characteristics and electrical properties of SiO2 thin films prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition with an aminosilane precursor

Jung, H. / Kim, W. H. / Oh, I. K. / Lee, C. W. / Lansalot-Matras, C. / Lee, S. J. / Myoung, J. M. / Lee, H. B. / Kim, H.

Growth characteristics and electrical properties of SiO2 thin films prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition with an aminosilane precursor

Jung, H. / Kim, W. H. / Oh, I. K. / Lee, C. W. / Lansalot-Matras, C. / Lee, S. J. / Myoung, J. M. / Lee, H. B. / Kim, H.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Growth characteristics and electrical properties of SiO2 thin films prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition with an aminosilane precursor

Beteiligte:

Jung, H. (Autor:in) / Kim, W. H. (Autor:in) / Oh, I. K. (Autor:in) / Lee, C. W. (Autor:in) / Lansalot-Matras, C. (Autor:in) / Lee, S. J. (Autor:in) / Myoung, J. M. (Autor:in) / Lee, H. B. (Autor:in) / Kim, H. (Autor:in)