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    Titel:

    Simulation of doping levels and deep levels in InGaN-based single-junction solar cell

    Beteiligte:

    Lin, S. (Autor:in) / Zeng, S. (Autor:in) / Cai, X. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Wu, S. (Autor:in) / Sun, L. (Autor:in) / Zhang, B. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 47 ; 4595-4603

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2012

    Format / Umfang:

    9 pages

    ISSN:

    0022-2461

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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