A novel 4H-SiC MESFET with a L-gate and a partial p-type spacer: Fid-Bau Portal

A novel 4H-SiC MESFET with a L-gate and a partial p-type spacer

Jia, H. / Zhang, H. / Yang, Y.

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Titel:

A novel 4H-SiC MESFET with a L-gate and a partial p-type spacer

Beteiligte:

Jia, H. (Autor:in) / Zhang, H. (Autor:in) / Yang, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 15 ; 2-5

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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