Sodium, Rubidium and Cesium in the Gate Oxides of SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Sodium, Rubidium and Cesium in the Gate Oxides of SiC MOSFETs

Tuttle, B.R. / Dhar, S. / Ryu, S.H. / Zhu, X. / Williams, J.R. / Feldman, L.C. / Pantelides, S.T.

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Titel:

Sodium, Rubidium and Cesium in the Gate Oxides of SiC MOSFETs

Beteiligte:

Tuttle, B.R. (Autor:in) / Dhar, S. (Autor:in) / Ryu, S.H. (Autor:in) / Zhu, X. (Autor:in) / Williams, J.R. (Autor:in) / Feldman, L.C. (Autor:in) / Pantelides, S.T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 453-456

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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