Comparison of the Threshold-Voltage Stability of SiC MOSFETs with Thermally Grown and Deposited Gate Oxides: Fid-Bau Portal

Comparison of the Threshold-Voltage Stability of SiC MOSFETs with Thermally Grown and Deposited Gate Oxides

Grieb, M. / Noborio, M. / Peters, D. / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Kimoto, T. / Ryssel, H.

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Titel:

Comparison of the Threshold-Voltage Stability of SiC MOSFETs with Thermally Grown and Deposited Gate Oxides

Beteiligte:

Grieb, M. (Autor:in) / Noborio, M. (Autor:in) / Peters, D. (Autor:in) / Bauer, A.J. (Autor:in) / Friedrichs, P. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Ryssel, H. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 681-684

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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