Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Two-Way Tunneling Model of Oxide Trap Charging and Discharging in SiC MOSFETs
Two-Way Tunneling Model of Oxide Trap Charging and Discharging in SiC MOSFETs
Two-Way Tunneling Model of Oxide Trap Charging and Discharging in SiC MOSFETs
Lelis, A.J. (Autor:in) / Habersat, D. (Autor:in) / Green, R. (Autor:in) / Goldsman, N. (Autor:in)
MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 465-468
01.01.2012
4 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
620.11
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