Spatially Graded Graphitization on 4H-SiC (0001) with Si-Sublimation Gradient for High Quality Epitaxial Graphene Growth: Fid-Bau Portal

Spatially Graded Graphitization on 4H-SiC (0001) with Si-Sublimation Gradient for High Quality Epitaxial Graphene Growth

Ushio, S. / Kutsuma, Y. / Yoshii, A. / Tamai, N. / Ohtani, N. / Kaneko, T.

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Titel:

Spatially Graded Graphitization on 4H-SiC (0001) with Si-Sublimation Gradient for High Quality Epitaxial Graphene Growth

Beteiligte:

Ushio, S. (Autor:in) / Kutsuma, Y. (Autor:in) / Yoshii, A. (Autor:in) / Tamai, N. (Autor:in) / Ohtani, N. (Autor:in) / Kaneko, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 601-604

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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